窒化アルミニウムアーク{-形状のセラミック基質は、現代の電子産業の重要な材料として、窒化アルミニウムを中心としており、多くの高-技術アプリケーションシナリオで不可欠な位置を占めています。窒化アルミニウムアーク-字型基板は、電子部品の安定した効率的なサポートプラットフォームを提供し、電子デバイスの重要な問題に効果的に対処します。 Aln arc -字型セラミック基板は、より高いパフォーマンス、サイズ、より大きな信頼性に向けて電子技術を高めるための重要な基盤です。
| 製品名 | 窒化アルミニウムアーク{-形状のセラミック基板 |
| 色 | クライアントの要件に応じてカスタマイズされています |
| サイズ | クライアントの要件に応じてカスタマイズされています |
| パッケージング | カートン /パレット /木製ケース（クライアントの要件による） |
| 納期 | 3日以内に標準製品- |
| アイテムのデザイン | クライアントの図面またはサンプルによると |
| 特徴 | 高品質、低価格、複数の工場、あなたの場所に最も近いものに基づいてあなたに届けます |
| 応用 | 産業用陶器 |
| 証明書 | ISO、CE |
材料特性：
- 高-純度窒化アルミニウム粉末：99％を超える窒化アルミニウム粉末を基本材料として99％以上使用すると、洗練された調製プロセスにより、基質材料の一貫性と安定性が保証され、ソースからの製品の例外性パフォーマンスの確固たる基盤が築かれます。
- 最適化された結晶構造：焼結段階では、均一で厚い結晶構造が形になり、均一に分散した微細な結晶粒が特徴です。このような強化された結晶構造は、基質に優れた機械的堅牢性と熱恒常性を備えており、電子成分の動作から出現する熱および機械的ひずみに耐えることができます。
パフォーマンス特性
- Ultra -高い熱伝導率：ain arc -形状の基質は印象的な熱伝導率を持ち、170 - 230 w/m・Kの値に達し、従来のアルミナセラミック基板の値をはるかに超えています。高熱散逸要件を備えた電子デバイスでは、窒化アルミニウムアークの高い熱伝導率-字型セラミック基板は、熱散逸効率を大幅に改善し、機器が長時間の高負荷動作下でも安定した性能を維持することができます。
- 良好な電気断熱材：AIN ARC -形状のセラミック基板は、最大10¹³-10¹⁴ω・ cmの抵抗率を持つ優れた電気断熱性能を持ち、電子コンポーネント間の電流を効果的に分離し、短絡発生を防止します。高電圧および高周波作業環境でさえ、窒化アルミニウムは安定した断熱性能を維持でき、電子デバイスの安全な動作を信頼できる保護を提供します。
- 低誘電率と低損失係数：高{-周波数信号伝送では、Ain arc {-形状の基質は、低誘電率の利点（通常8 {-} 10）と低損失因子の利点を示します。 5G通信ベースステーションやレーダーシステムなどの高-周波数通信および検出デバイスでは、AIN基板は高周波信号の正確な伝送と受信を確保できます。
- 一致する熱膨張係数：熱膨張係数は、約4.5×10°/度のシリコンやアルセニドガリウムなどの一般的に使用される半導体材料とよく一致しています。この特性により、窒化アルミニウムアーク-字型セラミック基板が可能になり、半導体チップパッケージと組み合わせた場合の温度変化によって引き起こされる熱応力を効果的に減少させます。
- 機械的強度が高い：Aln arc -型のセラミック基板は、最大300〜400 MPaの曲げ強度を持つ高度な機械的強度を持ち、ある程度の機械的衝撃と振動に耐えることができます。アセンブリ、輸送、および電子デバイスの使用中、ALNセラミック基質の高い機械的強度は、電子部品を外部の機械的力から効果的に保護できます。
アプリケーションフィールド
- パワーエレクトロニクスフィールド：電源モジュール、インバーター、整流器、およびその他の電子電子デバイスで広く使用されています。これらのデバイスの中で、窒化アルミニウムセラミック基板は、電力装置の取り付けベースとして機能します。同時に、窒化アルミニウムアーク-字型セラミック基板には、電気断熱と高機械強度があります。
- 通信電子フィールド：窒化アルミニウムアーク{-字型基板は、5G通信ベースステーション、光学通信モジュール、マイクロ波RF回路などの通信デバイスで重要な役割を果たします。
- 自動車電子分野：自動車の電子統合の程度が増加し続けるにつれて、ALN ARC {-字型セラミック基板は、自動車電子制御システム、電気自動車充電ステーション、自動車用照明システム、およびその他のアプリケーションで広く使用されています。
- コンシューマーエレクトロニクスフィールド：窒化アルミニウムアーク{-形状のセラミック基板は、主にプロセッサチップと電源トランジスタで使用されています。
セラミックパフォーマンスパラメーター
| 番号 | パフォーマンス | ユニット | 窒化アルミニウム | |
| jc - an-210 | jc - an-170 | |||
| 1 | 密度 | g/cm3 | 3.32~3.34 | 3.31~3.33 |
| 2 | 曲げ強度 | MPA | 340~360 | 400~420 |
| 3 | 骨折の靭性 | MPA・M1/2 | 3.35 | 3.35 |
| 4 | 誘電率 | εr（20度、1MHz） | 8.8~9.0 | 8.7~8.9 |
| 5 | 硬度 | GPA | 12-16 | |
| 硬度 | HRC | 75-80 | ||
| 6 | 体積抵抗率 | ω・cm（20度） | 10 10 | 10 10 |
| 7 | 弾性率 | GPA | 310 | 320 |
| 8 | 熱膨張係数 | ×10-6/k | 4.8~5.0 | 4.5~4.7 |
| 9 | 圧縮強度 | MPA | 2100 | 2000 |
| 10 | 擦り傷 | g/cm2 | 0.01 | 0.01 |
| 11 | 熱伝導率 | w/m×k（20度） | 200~220 | 160~180 |
| 12 | ポアソンの比率 | / | 0.24 | 0.24 |
| 13 | 断熱強度 | KV/mm | 26~28 | 30~32 |
| 14 | 温度 | 程度 | 2500 | 2500 |
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