製品説明

一般にエッジリングまたはフォーカスリングと呼ばれる高純度炭化ケイ素堆積リングは、半導体製造における化学蒸着 (CVD) やエッチングなどの主要なプロセスチャンバ内の消耗品の中心コンポーネントです。-ウエハを保持する静電チャックの周囲に、ウエハエッジに密着または微小な隙間を保った状態で配置されます。その主な機能は、プラズマまたは反応性ガスの均一な分布領域を定義し、プロセス副生成物による汚染からチャックを保護し、ウェーハエッジ領域でのプロセスの均一性を確保することです。これは、薄膜の堆積またはエッチングの均一性、欠陥率、ウェーハ全体、特にエッジでの全体的な歩留まりに直接影響します。炭化ケイ素の純度グレードは、通常 4N (99.99%) または 5N (99.999%) 以上として指定され、その性能と適用範囲を決定する重要な要素です。

High-Purity Silicon Carbide Deposition Ring / Edge Ring

性能特性

極めて高い純度と低汚染: 標準グレードは 4N (99.99%)、より高いグレードは 5N (99.999%) の高純度炭化ケイ素粉末から製造されており、高温プラズマ環境下での金属不純物の放出を最小限に抑え、ウェーハの汚染を防ぎます。- 4N と 5N のどちらを選択するかは、不純物レベルに対する特定の半導体プロセスの感度によって決まります。
優れた高温耐性-: 融点が 2700 度にも達し、一般的な半導体プロセス温度 (多くの場合 600 度を超える) で、変形や性能低下を引き起こすことなく、長期間安定して動作できます。これは、4N と 5N の両方のグレードに固有の特性です。
優れたプラズマエッチング耐性: 腐食性の高いフッ素-または塩素-ベースのプラズマ環境では、炭化ケイ素は非常に低いエッチング速度を示し、石英やアルミナなどの材料と比べて耐用年数が大幅に長くなります。
優れた熱伝導性と電気伝導性: 熱伝導率は金属に近く、ウェーハエッジでの温度均一性を高めます。また、調整可能な電気伝導率も備えており、プラズマシースを安定させ、プロセスの均一性を最適化するのに役立ちます。
高い硬度と耐摩耗性: モース硬度が高いため、加工中の粒子浸食や機械的摩耗に耐性があり、表面の平滑性が維持されます。
高い機械的強度: 高温や熱サイクル応力下でも構造の完全性を維持し、破損を防ぎます。

ceramicstimes performance parameter

主要なパラメータ

材料純度グレード: 4N (99.99%) および 5N (99.999%) として定義されます。金属不純物の合計含有量は通常、4N では 100 ppm 未満、5N では 10 ppm 以下であり、ナトリウム、鉄、カルシウムなどの主要な汚染物質は、特に 5N 材料の場合、10 億分の 1 (ppb) レベルで管理されています。
密度と気孔率: 高密度焼結が標準であり、かさ密度は 3.10 g/cm3 を超え、開気孔率は非常に低くなります (< 0.1%) to prevent gas permeation and particle retention.
抵抗率: 静電制御とプラズマ結合のさまざまな要件を満たすために、プロセスのニーズに応じて範囲内で調整可能 (通常は 0.1 ～ 100 Ω・cm)。
熱膨張係数 (CTE): 比較的低く (約 4.0 x 10-6 /K)、シリコンウェーハに近く、熱サイクル中の良好なマッチングを確保し、応力を軽減します。
表面粗さ：表面粗さRaが通常0.4μm未満になるまで精密研磨されます。滑らかな表面により粒子の付着が最小限に抑えられ、洗浄が容易になります。
寸法精度: 内径/外径、平面度、平行度の非常に高い幾何学的精度 (通常、公差は ±0.05 mm 以内) を特徴とし、ウェーハとチャックとの完璧なフィットを保証します。
粒子サイズ: 細粒構造（平均粒子サイズは通常 5 μm 未満）により、材料の機械的強度と耐食性の均一性が向上します。-

主な用途

-高純度炭化ケイ素の堆積/エッジリングは高度な半導体製造において不可欠なコンポーネントであり、プロセス要件に基づいて材料グレード（4N 対 . 5N）が選択されます。

化学蒸着 (CVD) と原子層蒸着 (ALD): ウェハエッジでの均一な膜厚と特性を保証します。. 5N グレードは、金属汚染が極めて低いため、最先端のロジックやメモリデバイスの蒸着には必須であることがよくあります。-

ドライエッチング: 静電チャックを保護しながら、ウェーハエッジのエッチングプロファイルを正確に制御します。 4N と 5N は両方とも広く使用されていますが、先進的なノードでの高感度のエッチングプロセスには 5N が推奨されます。

プラズマ洗浄: 安定したプラズマ境界の維持に役立ちます. 4多くの洗浄用途には N グレードで十分です。

高度なプロセスノード: 28nm 以下のロジックチップや高度なメモリチップ (3D NAND、DRAM) の製造では、通常、欠陥を防止し歩留まりを確保するため、極めて純度の 5N (99.999%+) の高純度炭化ケイ素が標準です。-

化合物半導体: GaN、SiC- ベースのパワーおよび RF デバイスの製造では、4N 高純度炭化ケイ素が一般的に使用され、これらのアプリケーションに性能、高温耐性、コスト効率の優れたバランスを提供します。-

品質管理

ISO 9001 品質管理システムを厳格に遵守し、当社は全プロセスの品質管理を導入し、高品質の製品を一貫して提供することを保証します。{{1}

• 原材料を100%検査し、供給元からの品質を保証します。
• 安定した信頼性の高いプロセスのための高度なホットプレス生産ラインの利用-
• 密度、硬度、微細構造分析をカバーする包括的な社内試験システム-
• サードパーティの権威ある認証の利用可能（リクエストに応じて提供される SGS、CE、ROHS など）。{0}

当社は今後も管理システムの継続的な改善に努め、お客様に一貫した信頼できる製品保証を提供します。

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