炭化ケイ素キャリアディスク

炭化ケイ素キャリアディスク

製品の説明 半導体製造において、CVD 装置用の炭化ケイ素 (SiC) サセプタ (ウェーハ キャリア、ベース、トレイとも呼ばれる) は重要な消耗品です。その重要性は、炭化ケイ素を理想的な炭化ケイ素にする、炭化ケイ素の独特の特性に由来しています。
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説明

製品説明

 

炭化ケイ素セラミックキャリアプレートは、高純度の炭化ケイ素(SiC)原料から、反応焼結(反応結合炭化ケイ素)、加圧焼結(焼結炭化ケイ素)、または再結晶化(再結晶炭化ケイ素/再結晶化SiC)などのプロセスを通じて製造されます。{0} SiC 材料自体は強力な共有結合と安定した構造を備えており、キャリア プレートに優れた物理的および化学的特性 (炭化ケイ素の特性) を与えます。これらは、特に清浄度、温度耐性、および熱衝撃耐性の非常に高い基準が要求される分野で、石英やアルミナなどの従来の材料を置き換えるために一般的に使用されています。

Silicon carbide carrier disc for CVD equipment.

 

主要なパフォーマンス特性とパラメータ

 

  • -高温耐性: 1600 度を超える環境でも安定した長期動作が可能です。-短期耐性は 1650 度以上に達します。超-高温セラミックス (超高温セラミックス) アプリケーション シナリオに適しています。
  • 優れた熱伝導率: 炭化ケイ素の高い熱伝導率により、迅速かつ均一な熱伝達が促進され、プロセス中の温度勾配が軽減されます。
  • 高い硬度と耐摩耗性: モース硬度が 9.5 に近いため、摩耗や粒子汚染に強い、優れた耐摩耗性セラミックです。-
  • 強い耐熱衝撃性:熱膨張係数が低いため、急激な温度変化にも割れることなく耐えられます。
  • 化学的不活性: 酸およびアルカリによる腐食に耐性があり、ほとんどのプロセスガスや材料と反応しません。炭化ケイ素の化学組成は安定しています。
  • 高い清浄度: この材料は焼結 SiC などの緻密な構造を持ち、不純物の吸着を最小限に抑える滑らかな表面を備えているため、高純度のプロセス環境に適しています。-

ceramicstimes performance parameter

主な用途と関連製品

 

  • 半導体産業: 拡散、酸化、アニーリング、CVD などの高温プロセスでシリコン ウェーハを搬送するために使用されます。{0}シリコンウェーハエピタキシー用のSiC基板としても使用されます。
  • 太陽光発電産業: 太陽電池の焼結およびコーティングプロセスにおけるキャリア基板として機能します。
  • LED 製造: MOCVD リアクターでサファイア基板を搬送するために使用されます。
  • 精密セラミック焼結: 電子セラミック、構造用セラミック、セラミック マトリックス複合材料の高温焼結用のキルン シェルフまたはサガーとして機能します。-
  • 産業用部品: メカニカルシールリング、ベアリング、ノズル、ブッシング/ブッシュ、保護チューブ/熱電対チューブ、その他の SiC コンポーネントの製造に広く使用されています。
  • 耐火材料: 炉の内張りに使用される高度な耐火材料として機能します。
  • 科学研究と試験: 高温炉や材料試験におけるサンプル サポート デバイスとして機能します。-

 

品質管理

 

当社は一貫性を確保するために ISO 9001 品質管理システムに厳密に従います。

  • 原材料の全数検査
  • 高度なホットプレス生産ライン-
  • -社内試験: 密度、硬度、微細構造分析
  • 第三者認証-(リクエストに応じて SGS、CE、ROHS を利用可能)

 

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